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PHP110NQ06LT,127

更新时间： 2024-09-16 20:03:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	207K
描述
TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.0093 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power

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PHP110NQ06LT,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0093 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHP110NQ06LT,127 数据手册

PHB110NQ06LT

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 02 — 4 March 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

Suitable for logic level gate drive

on-state resistance

sources

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Motors, lamps and solenoids

Uninterruptible power supplies

General industrial applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1 and 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

200

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; V_DS= 44 V;

T_j= 25 °C; see Figure 11

6.2

mΩ

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 9 and 10

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHP110NQ08LT	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP110NQ08LT,127	NXP	获取价格	PHP110NQ08LT
PHP110NQ08T	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP110NQ08T,127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 75 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46,
PHP112	NXP	获取价格	TRANSISTOR 4.5 A, 20 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
PHP112N06T	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP112N06T,127	NXP	获取价格	PHP112N06T
PHP112-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.1 A, 20 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
PHP112-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.1 A, 20 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
PHP119NQ06T	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET

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