5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHP112-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.1 A, 20 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| PHP119NQ06T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| PHP119NQ06T,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
|
| PHP11N06LT | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
|
| PHP11N50E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
|
| PHP11N50E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 10.4 A, 500 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur |
|
| PHP120 | SENSITRON |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor, Unidirectional |
|
| PHP120 | PROTEC |
获取价格 |
AC POWER BUS VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| PHP120 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 170V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
|
| PHP120 | MICROSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
