生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-CUPM-X2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.3 |
外壳连接: | ISOLATED | 最大钳位电压: | 319 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-CUPM-X2 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 15000 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 7.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大反向电流: | 250 µA |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PHP12-3,50 | ALTECH |
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Barrier Strip Terminal Block, | |
PHP12-3,81 | ALTECH |
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Barrier Strip Terminal Block, | |
PHP125 | NXP |
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P-channel enhancement mode MOS transistor | |
PHP12-5.00 | ALTECH |
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Strip Terminal Block, | |
PHP125/T3 | ETC |
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TRANSISTOR MOSFET SOT-96 | |
PHP125N06LT | NXP |
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TrenchMOS transistor Logic level FET | |
PHP125N06T | NXP |
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TrenchMOS transistor Standard level FET | |
PHP125T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SO | |
PHP125-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 2.3 A, 30 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General | |
PHP125-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 2.3 A, 30 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General |