PEMB18

更新时间： 2024-11-14 06:00:15

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	58K
描述
PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 10 kW

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PEMB18 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PEMB18 数据手册

PEMB18; PUMB18

PNP/PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ

Rev. 04 — 1 September 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP/PNP resistor-equipped transistors

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

NPN/PNP

complement

NPN/NPN

complement

JEITA

PEMB18

PUMB18

SOT666

SOT363

PEMD18

PUMD18

PEMH18

PUMH18

SC-88

1.2 Features

I Built-in bias resistors

I Simpliﬁes circuit design

I Reduces component count

I Reduces pick and place cost

1.3 Applications

I Low current peripheral driver

I Control of IC inputs

I Replacement of general-purpose transistors in digital applications

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

V_CEO

I_O

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−50

−100

6.1

Unit

collector-emitter voltage

output current (DC)

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

open base

kΩ

3.3

1.7

4.7

2.1

R2/R1

2.6

12 3 4 5 6 7...9

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