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PDM4M3120S12M

更新时间： 2024-02-27 04:22:51

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IXYS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	108K
描述
SRAM Module, 1MX32, 12ns, CMOS, SIMM-72

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技术参数
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PDM4M3120S12M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM-72	针数：	72
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-XSMA-N72
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	72	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX32	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

PDM4M3120S12M 数据手册

PRELIMINARY

PDM4M3120

Pin Conﬁguration⁽¹⁾

Pin Assignment

Signal

PD0 - Vss

I/O31-I/O0

A19-A0

CS4-CS1

Data Inputs/Outputs

Addresses

PD3

PD0

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

Vcc

PD2

Vss

PD1 - NC

PD2 - Vss

PD3 - NC

Chip Selects

Write Enable

Output Enable

Depth Identification

Power

PD1

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

PD3-PD0

Ground

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

Vss

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

A15

CS2

A14

CS1

ZIP, SIMM

TOP VIEW

CS4

A17

CS3

A16

Vss

I/O24

I/O25

I/O26

I/O27

I/O16

I/O17

I/O18

I/O19

A10

A11

A12

Vcc

A13

I/O20

I/O21

I/O22

I/O23

Vss

I/O28

I/O29

I/O30

I/O31

A18

A19

NOTE: 1. Pins 3, 4, 6, and 7 (PD0, PD1, PD02, and PD3

respectively) are read by the user to determine the

density of the module. If PD0 reads V , PD1 reads

NC, PD2 reads V , PD3 reads NC then the mod-

ule has a 1M depth.

Rev 1.1

123 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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