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PDM4M3120S12Z

更新时间： 2024-02-23 01:40:58

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	108K
描述
SRAM Module, 1MX32, 12ns, CMOS, ZIP-72

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PDM4M3120S12Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP-72	针数：	72
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-XZMA-T72
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	72	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX32	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

PDM4M3120S12Z 数据手册

PRELIMINARY

PDM4M3120

3.3V, 1M x 32 CMOS

Static RAM Module

The PDM4M3120 is packaged in a 72-pin FR-4 ZIP

(Zig-zag In-line vertical Package) or a 72-pin SIMM or

Angled SIMM (Single In-line Memory Module). The

Features

■ High-density 3.3V, 4 megabyte Static RAM

module

■ Low proﬁle 72-pin ZIP (Zig-zag In-line vertical

Package) or 72-pin SIMM or Angled SIMM

(Single In-line Memory Module)

■ Fast access time: 12 ns (max.)

■ Surface mounted plastic components on an

epoxy laminate (FR-4) substrate.

■ Single 3.3V (±10%) power supply

■ Multiple V pins and decoupling capacitors for

maximum noise immunity

■ Inputs/ outputs directly TTL compatible

_{ZIP conﬁguration allows 72 pins to be placed on a}2

package 3.950" long and 0.365" wide. At only 0.590"

high, this low-proﬁle package is ideal for systems

with minimum board spacing. The SIMM conﬁgura-

_{tion allows use of edge mounted sockets to secure the}3

module.

All inputs and outputs of the PDM4M3120 are TTL

compatible and operate from a single 3.3V supply.

Full asynchronous circuitry requires no clock or

refresh for operation and provides equal access and

cycle times for ease of use.

Four identiﬁcation pins (PD0, PD1, PD2, PD3) are pro-

vided for applications in which different density

versions of the module are used. In this way, the tar-

Description

The PDM4M3120 is a 3.3V, 1M x 32 static RAM

module constructed on an epoxy laminate (FR-4)

substrate using eight 1M x 4 static RAMs in plastic

SOJ packages. Availability of four chip select lines

(one for each of four RAMs) provides byte access.

The PDM4M3120 is available with access times as

fast as 12 ns with minimal power consumption.

^{get system can read the respective levels of PD0, PD1,}6

PD2, PD3 to determine a 1M depth.

Functional Block Diagram

CS1

CS2

CS3

CS4

ADDRESS

PD3-PD0

1M x 32

RAM

I/O31-I/O0

Rev 1.1

12 3 4 5 6 7...10

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与PDM4M3120S12Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDM4M3120S15M	IXYS	SRAM Module, 1MX32, 15ns, CMOS, SIMM-72	获取价格
PDM4M3120S15Z	IXYS	SRAM Module, 1MX32, 15ns, CMOS, ZIP-72	获取价格
PDM4M3120S20AM	IXYS	SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72	获取价格
PDM4M3120S20M	IXYS	SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, SIMM-72	获取价格
PDM4M4030S25AM	IXYS	SRAM	获取价格
PDM4M4050S10AM	IXYS	SRAM	获取价格

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