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PDM4M3120S12Z

更新时间： 2024-01-04 22:57:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	108K
描述
SRAM Module, 1MX32, 12ns, CMOS, ZIP-72

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PDM4M3120S12Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP-72	针数：	72
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-XZMA-T72
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	72	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX32	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

PDM4M3120S12Z 数据手册

PRELIMINARY

PDM4M3120

Truth Table

Mode

Output

Power

Deselect/

Power-down

High-Z

Standby

Read

DATA

Active

OUT

Write

DATA

Deselect

High-Z

Absolute Maximum Ratings⁽¹⁾

Symbol

Rating

Terminal Voltage with Respect to V

Com’l.

Ind.

Unit

–0.5 to +4.6

–10 to +85

–55 to +125

0 to +70

1.0

–0.5 to +4.6

–10 to +85

–65 to +150

–40 to +85

1.0

TERM

Temperature Under Bias

Storage Temperature

Operating Temperature

Power Dissipation

°C

BIAS

STG

DC Output Current

OUT

NOTE: 1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent

damage to the device.This is a stress rating only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections of this speciﬁcation is not

implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect

reliability.

Recommended DC Operating Conditions

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Unit

Supply Voltage

3.0

3.3

3.6

Supply Voltage

Commercial

Industrial

Ambient Temperature

°C

–40

Rev 1.1

1 234 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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