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PDM4M3120S12M

更新时间: 2024-01-31 17:57:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 108K
描述
SRAM Module, 1MX32, 12ns, CMOS, SIMM-72

PDM4M3120S12M 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM-72针数:72
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-XSMA-N72
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:72字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX32封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

PDM4M3120S12M 数据手册

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PRELIMINARY  
PDM4M3120  
Timing Waveforms of Read Cycle No.1(1)  
t
RC  
1
2
ADDRESS  
t
AA  
OE  
t
t
OH  
(5)  
OE  
(5)  
t
OLZ  
CS  
3
t
t
OHZ  
ACS  
(5)  
(5)  
t
t
CHZ  
CLZ  
D
OUT  
4
5
Timing Waveforms of Read Cycle No.2(1,2,4)  
t
RC  
6
ADDRESS  
t
AA  
t
t
OH  
OH  
7
D
OUT  
Previous Data Valid  
Data Valid  
Timing Waveforms of Read Cycle No.3(1,3,4)  
9
CS  
t
ACS  
10  
11  
12  
(5)  
(5)  
t
t
CLZ  
CLZ  
D
OUT  
NOTES  
1
WE is HIGH for Read Cycle.  
2. Device is continuously selected. CS = V .  
3. Address valid prior to or coincident with CS transition LOW.  
4. OE = V .  
IL  
IL  
5. Transition is measured ±200 mV for steady state. This parameter is  
determined by device characteristics but is not production tested.  
Rev 1.1  
7

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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