是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.04 A |
最小待机电流: | 4.75 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.38 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PDM4M096S20DI | ETC |
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x8 SRAM Module | |
PDM4M096S25D | ETC |
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x8 SRAM Module | |
PDM4M096S25DI | ETC |
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x8 SRAM Module | |
PDM4M096S35D | ETC |
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x8 SRAM Module | |
PDM4M096S35DI | ETC |
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x8 SRAM Module | |
PDM4M3120S12AM | IXYS |
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SRAM Module, 1MX32, 12ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72 | |
PDM4M3120S12M | IXYS |
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SRAM Module, 1MX32, 12ns, CMOS, SIMM-72 | |
PDM4M3120S12Z | IXYS |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX32, 12ns, CMOS, ZIP-72 | |
PDM4M3120S15M | IXYS |
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SRAM Module, 1MX32, 15ns, CMOS, SIMM-72 | |
PDM4M3120S15Z | IXYS |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX32, 15ns, CMOS, ZIP-72 |