是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP8,.3 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.8 | 最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010DDDR | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 9.5 mm |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256X8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.2 mm | 串行总线类型: | I2C |
最大待机电流: | 0.0000035 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.002 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PCF85102C-2P-03 | NXP |
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256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85102C-2T | NXP |
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256 x 8-bit CMOS EEPROMs with I2C-bus interface | |
PCF85102C-2T/03 | PHILIPS |
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EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, | |
PCF85102C-2T/03 | NXP |
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IC 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT-96-1, SOP-8, Pro | |
PCF85102C-2T-03 | NXP |
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256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85103C | NXP |
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Smart, simple solutions for the 12 most common design concerns | |
PCF85103C-2 | NXP |
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256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85103C-2_04 | NXP |
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256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85103C2N | NXP |
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IC 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM | |
PCF85103C-2P | NXP |
获取价格 |
256 x 8-bit CMOS EEPROMs with I2C-bus interface |