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PCF85103C-2P

更新时间: 2024-11-22 22:06:23
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恩智浦 - NXP 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
20页 103K
描述
256 x 8-bit CMOS EEPROMs with I2C-bus interface

PCF85103C-2P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz数据保留时间-最小值:10
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:0010DDDR
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e4
长度:9.5 mm内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):250电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.2 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.0000035 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.002 mA
最大供电电压 (Vsup):6 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 msBase Number Matches:1

PCF85103C-2P 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
PCF85102C-2; PCF85103C-2  
256 × 8-bit CMOS EEPROMs with  
I2C-bus interface  
Product specification  
2000 Feb 15  
File under Integrated Circuits, IC12  

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