生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.66 |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 10 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节: | 1010DDDR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 2048 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256X8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 串行总线类型: | I2C |
最大待机电流: | 0.0000035 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.002 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | NICKEL PALLADIUM GOLD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PCF85103C-2T/00,11 | NXP |
完全替代 |
PCF85103C-2 - 256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface SOIC 8-Pin |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PCF85103C-2T/G,118 | NXP |
获取价格 |
PCF85103C-2 - 256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface SOIC 8-Pin | |
PCF85103C-2T-00 | NXP |
获取价格 |
256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85116-3 | NXP |
获取价格 |
2048 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85116-3D | NXP |
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IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, SOT-96-1, SO-8, Programmable | |
PCF85116-3P | NXP |
获取价格 |
2048 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85116-3P/01 | NXP |
获取价格 |
2048 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85116-3P/01,112 | NXP |
获取价格 |
PCF85116-3P | |
PCF85116-3T | NXP |
获取价格 |
2048 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85116-3T/01 | NXP |
获取价格 |
2048 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface | |
PCF85116-3T/01,118 | NXP |
获取价格 |
PCF85116-3T |