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PCF85116-3P

更新时间： 2024-11-18 22:37:19

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恩智浦 - NXP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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20页	150K
描述
2048 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface

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PCF85116-3P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010MMMR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e4	长度：	9.5 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	250	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.2 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000006 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

INTEGRATED CIRCUITS

DATA SHEET

PCF85116-3

2048 × 8-bit CMOS EEPROM with

I²C-bus interface

1997 Apr 02

Product speciﬁcation

Supersedes data of 1997 Feb 24

File under Integrated Circuits, IC12

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PCF85116-3P/01	NXP	获取价格	2048 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface
PCF85116-3P/01,112	NXP	获取价格	PCF85116-3P
PCF85116-3T	NXP	获取价格	2048 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface
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