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PCF85103C-2P/00

更新时间： 2024-11-23 15:47:35

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恩智浦 - NXP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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20页	114K
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IC 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, MO-001, SOT97-1, DIP-8, Programmable ROM

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PCF85103C-2P/00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MO-001	包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, MO-001, SOT97-1, DIP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最大时钟频率 (fCLK)：	0.1 MHz
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	0010DDDR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e4	长度：	9.5 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.2 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.0000035 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

PCF85103C-2P/00 数据手册

PCF85103C-2

256 × 8-bit CMOS EEPROM with I²C-bus interface

Rev. 04 — 22 October 2004

Product data

1. Description

The PCF85103C-2 is a ﬂoating gate Electrically Erasable Programmable Read Only

Memory (EEPROM) with 2 kbits (256 × 8-bit) non-volatile storage. By using an

internal redundant storage code, it is fault tolerant to single bit errors. This feature

dramatically increases the reliability compared to conventional EEPROMs. Power

consumption is low due to the full CMOS technology used. The programming voltage

is generated on-chip, using a voltage multiplier.

Data bytes are received and transmitted via the serial I²C-bus. Up to eight

PCF85103C-2 devices may be connected to the I²C-bus. Chip select is accomplished

by three address inputs (A0, A1 and A2).

The PCF85103C-2 is identical to PCF85102C-2 except for the ﬁxed I²C address,

allowing up to eight PCF85102C-2 and eight PCF85103C-2 on the same I²C-bus.

2. Features

■ Low power CMOS:

◆ 2.0 mA maximum operating current

◆ maximum standby current 10 µA (at 6.0 V), typical 4 µA

■ Non-volatile storage of 2 kbits organized as 256 × 8-bit

■ Single supply with full operation down to 2.5 V

■ On-chip voltage multiplier

■ Serial input/output I²C-bus

■ Write operations:

◆ byte write mode

◆ 8-byte page write mode (minimizes total write time per byte)

■ Read operations:

◆ sequential read

◆ random read

■ Internal timer for writing (no external components)

■ Internal power-on reset

■ 0 kHz to 100 kHz clock frequency

■ High reliability by using a redundant storage code

■ Endurance: 1,000,000 Erase/Write (E/W) cycles at T_amb= 22 °C

■ 10 years non-volatile data retention time

■ Pin compatible to: PCF8570, PCF8571, PCF8572, PCA8581, PCF8582, and

PCF85102

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PCF85103C-2T/00	NXP	获取价格	IC 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT96-1, SOP-8, Prog
PCF85103C-2T/00	PHILIPS	获取价格	EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8,
PCF85103C-2T/00,11	NXP	获取价格	PCF85103C-2 - 256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface SOIC 8-Pin
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