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PCF85102C-2T/03

更新时间： 2024-11-19 15:47:35

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飞利浦 - PHILIPS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8,

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PCF85102C-2T/03 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOP, SOP8,.25	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DDDR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.0000035 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.002 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PCF85102C-2T/03 数据手册

PCF85102C-2

256 × 8-bit CMOS EEPROM with I²C-bus interface

Rev. 03 — 08 October 2003

Product data

1. Description

The PCF85102C-2 is a ﬂoating gate Electrically Erasable Programmable Read Only

Memory (EEPROM) with 2 kbits (256 × 8-bit) non-volatile storage. By using an

internal redundant storage code, it is fault tolerant to single bit errors. This feature

dramatically increases the reliability compared to conventional EEPROMs. Power

consumption is low due to the full CMOS technology used. The programming voltage

is generated on-chip, using a voltage multiplier.

Data bytes are received and transmitted via the serial I²C-bus. Up to eight

PCF85102C-2 devices may be connected to the I²C-bus. Chip select is accomplished

by three address inputs (A0, A1 and A2).

2. Features

■ Low power CMOS:

◆ 2.0 mA maximum operating current

◆ maximum standby current 10 µA (at 6.0 V), typical 4 µA

■ Non-volatile storage of 2 kbits organized as 256 × 8-bit

■ Single supply with full operation down to 2.5 V

■ On-chip voltage multiplier

■ Serial input/output I²C-bus

■ Write operations:

◆ byte write mode

◆ 8-byte page write mode (minimizes total write time per byte)

■ Read operations:

◆ sequential read

◆ random read

■ Internal timer for writing (no external components)

■ Internal power-on reset

■ 0 to 100 kHz clock frequency

■ High reliability by using a redundant storage code

■ Endurance: 1,000,000 Erase/Write (E/W) cycles at T_amb= 22 °C

■ 10 years non-volatile data retention time

■ Pin and address compatible to: PCF8570, PCF8571, PCF8572, PCA8581,

PCF8582

■ Pin compatible (with a different address) to PCF85103

■ ESD protection exceeds 2000 V HBM per JESD22-A114, 150 V MM per

JESD22-A115, and 1000 V CDM per JESD22-C101

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