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PBSS5350D/T3

更新时间： 2024-11-14 14:44:07

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	385K
描述
TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSOP-6, BIP General Purpose Small Signal

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PBSS5350D/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

PBSS5350D/T3 数据手册

PBSS5350D

T457

50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Rev. 5 — 23 March 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small

SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4350D

1.2 Features and benefits

 Low collector-emitter saturation

 AEC-Q101 qualified

voltage V_CEsat

 Smaller Printed-Circuit Board (PCB)

 High current capability

area than for conventional transistors

 High efficiency due to less heat

generation

1.3 Applications

 Supply line switching circuits

 DC-to-DC conversion

 Battery management applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

collector-emitter

voltage

open base

-50

I_C

collector current

-3

-5

I_CM

peak collector

current

R_CEsat

collector-emitter

saturation

I_C= -2 A; I_B= -200 mA; pulsed;

t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ;

120 150 mΩ

resistance

T_amb= 25 °C

12 3 4 5 6 7...12

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与PBSS5350D/T3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PBSS5350D-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5350DT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSOP-6, BIP Ge
PBSS5350S	NXP	获取价格	50 V low VCEsat PNP transistor
PBSS5350S,126	NXP	获取价格	PBSS5350S
PBSS5350SA	ETC	获取价格	50 V low VCEsat PNP transistor
PBSS5350SS	NXP	获取价格	50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5350SS,115	NXP	获取价格	PBSS5350SS - 50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor SOIC 8-Pin
PBSS5350T	NXP	获取价格	50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5350T	NEXPERIA	获取价格	50 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5350T	FOSHAN	获取价格	SOT-23