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PBSS5330X,115 PDF预览

PBSS5330X,115

更新时间: 2024-11-14 15:47:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
12页 111K
描述
PBSS5330X - 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin

PBSS5330X,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-89包装说明:PLASTIC, SC-62, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:7.92
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JEDEC-95代码:TO-243AA
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.6 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

PBSS5330X,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PBSS5330X  
30 V, 3 A  
PNP low VCEsat (BISS) transistor  
Product data sheet  
2004 Nov 03  
Supersedes data of 2003 Nov 28  

PBSS5330X,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PBSS5330X,135 NXP

完全替代

PBSS5330X - 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin

与PBSS5330X,115相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBSS5330X,135 NXP

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PBSS5330X - 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin
PBSS5350D NXP

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PNP transistor
PBSS5350D NEXPERIA

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50 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5350D,115 NXP

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PBSS5350D - 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin
PBSS5350D,135 NXP

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PBSS5350D - 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin
PBSS5350D/T3 NXP

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TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSOP-6, BIP Ge
PBSS5350D-Q NEXPERIA

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50 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5350DT/R NXP

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TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSOP-6, BIP Ge
PBSS5350S NXP

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50 V low VCEsat PNP transistor
PBSS5350S,126 NXP

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