是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.71 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 3 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JESD-30 代码: | S-PDSO-N3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | PNP |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 165 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PBSS5330X | NXP |
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30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS5330X | NEXPERIA |
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30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction | |
PBSS5330X | YANGJIE |
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SOT-89 | |
PBSS5330X,115 | NXP |
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PBSS5330X - 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin | |
PBSS5330X,135 | NXP |
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PBSS5330X - 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin | |
PBSS5350D | NXP |
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PNP transistor | |
PBSS5350D | NEXPERIA |
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50 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction | |
PBSS5350D,115 | NXP |
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PBSS5350D - 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin | |
PBSS5350D,135 | NXP |
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PBSS5350D - 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin | |
PBSS5350D/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSOP-6, BIP Ge |