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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-243AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 320 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 80 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS304PX,115 | NXP |
功能相似  |
PBSS304PX - 60 V, 4.2 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS304PX,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS304PX - 60 V, 4.2 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
|
| PBSS304PX/DG,135 | NXP |
获取价格 |
PBSS304PX - 60 V, 4.2 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
|
| PBSS304PX-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 4.2 A PNP low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS304PZ | NXP |
获取价格 |
60 V, 4.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS304PZ | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 4.5 A PNP low V_CEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS304PZ | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-223 |
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| PBSS305ND | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PBSS305ND | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS305NX | NXP |
获取价格 |
80 V, 4.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS305NX | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 4.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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