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PBSS304PX,115

更新时间: 2024-11-24 15:47:31
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恩智浦 - NXP 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 196K
描述
PBSS304PX - 60 V, 4.2 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin

PBSS304PX,115 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-89包装说明:PLASTIC, SMD, SC-62, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.39Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4.2 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):2.1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHz最大关闭时间(toff):320 ns
最大开启时间(吨):80 nsBase Number Matches:1

PBSS304PX,115 数据手册

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PBSS304PX  
60 V, 4.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor  
Rev. 02 — 8 December 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89  
(SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
NPN complement: PBSS304NX.  
1.2 Features  
„ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat  
„ High collector current capability IC and ICM  
„ High collector current gain (hFE) at high IC  
„ High efficiency due to less heat generation  
„ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors  
1.3 Applications  
„ High-voltage DC-to-DC conversion  
„ High-voltage MOSFET gate driving  
„ High-voltage motor control  
„ High-voltage power switches (e.g. motors, fans)  
„ Automotive applications  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VCEO  
IC  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
60  
Unit  
V
collector-emitter voltage  
collector current  
open base  
-
-
-
-
-
-
4.2  
8.4  
A
ICM  
peak collector current  
single pulse;  
A
tp 1 ms  
[1]  
RCEsat  
collector-emitter saturation IC = 4 A;  
resistance IB = 200 mA  
-
48  
69  
mΩ  
[1] Pulse test: tp 300 μs; δ ≤ 0.02.  
 
 
 
 
 
 

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