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PBSS305PZ,135

更新时间: 2024-11-24 21:13:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 171K
描述
PBSS305PZ - 80 V, 4.5 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor SC-73 4-Pin

PBSS305PZ,135 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-73包装说明:PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.39外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):4.5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
最大关闭时间(toff):285 ns最大开启时间(吨):100 ns
Base Number Matches:1

PBSS305PZ,135 数据手册

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PBSS305PZ  
80 V, 4.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor  
Rev. 02 — 8 December 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73)  
small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
NPN complement: PBSS305NZ.  
1.2 Features  
„ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat  
„ High collector current capability IC and ICM  
„ High collector current gain (hFE) at high IC  
„ High efficiency due to less heat generation  
„ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors  
1.3 Applications  
„ High-voltage DC-to-DC conversion  
„ High-voltage MOSFET gate driving  
„ High-voltage motor control  
„ High-voltage power switches (e.g. motors, fans)  
„ Automotive applications  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VCEO  
IC  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
80  
4.5  
9  
Unit  
V
collector-emitter voltage  
collector current  
open base  
-
-
-
-
-
-
A
ICM  
peak collector current  
single pulse;  
A
tp 1 ms  
[1]  
RCEsat  
collector-emitter saturation IC = 4 A;  
resistance IB = 200 mA  
-
61  
87  
mΩ  
[1] Pulse test: tp 300 μs; δ ≤ 0.02.  
 
 
 
 
 
 

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