PBSS306NZ

更新时间： 2024-01-13 22:11:35

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管 PC
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14页	186K
描述
100 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

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PBSS306NZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.34	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4.1 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
最大关闭时间（toff）：	325 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns
Base Number Matches：	1

PBSS306NZ 数据手册

PBSS306NZ

100 V, 5.1 A NPN low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 02 — 11 December 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73)

small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS306PZ.

1.2 Features

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability I_Cand I_CM

High collector current gain (h_FE) at high I_C

High efficiency due to less heat generation

Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

High-voltage DC-to-DC conversion

High-voltage MOSFET gate driving

High-voltage motor control

High-voltage power switches (e.g. motors, fans)

Automotive applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

5.1

Unit

collector-emitter voltage

collector current

open base

I_CM

peak collector current

single pulse;

10.2

t_p≤ 1 ms

[1]

R_CEsat

collector-emitter saturation I_C= 4 A;

resistance I_B= 200 mA

mΩ

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...14

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