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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 175 A |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P095PH12DH | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),175A I(T),TO-209AC |
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| P095PH12DH0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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| P095PH12DJ | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| P095PH12DJ0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 1200V V(DRM) |
|
| P095PH12DJO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| P095PH12E2K | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),175A I(T),TO-209AC |
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| P095PH12E2K0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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| P095PH12EH | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| P095PH12EH0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),175A I(T),TO-209AC |
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| P095PH12EJ | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 1200 V, SCR |
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