5秒后页面跳转
P095RH02CK0 PDF预览

P095RH02CK0

更新时间: 2024-11-08 14:09:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 691K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM),

P095RH02CK0 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.04标称电路换相断开时间:20 µs
关态电压最小值的临界上升速率:20 V/us最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:600 mA
最大漏电流:20 mA通态非重复峰值电流:1800 A
最大通态电压:1.92 V最大通态电流:175000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
断态重复峰值电压:200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

P095RH02CK0 数据手册

 浏览型号P095RH02CK0的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P095RH02CK0的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P095RH02CK0的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P095RH02CK0的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P095RH02CK0的Datasheet PDF文件第6页 

与P095RH02CK0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P095RH02D2K IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 200 V, SCR
P095RH02D2K0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM)
P095RH02DG IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
P095RH02DH0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM)
P095RH02DK0 LITTELFUSE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM),
P095RH02E2K IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 200 V, SCR
P095RH02E2K0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM)
P095RH02E2KO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
P095RH02EG IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 200 V, SCR
P095RH02EG0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),175A I(T),TO-208VAR