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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NZT6727
NZT6727 PDF预览

NZT6727

更新时间： 2024-09-14 21:55:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 40K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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NZT6727 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-223包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.53Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NZT6727 数据手册

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NZT6727  
PNP General Purpose Amplifier  
4
•
This device is designed for general purpose medium power amplifiers  
and switches requiring collecor currents to 1.0A.  
Sourced from process 77.  
•
3
2
1
SOT-223  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
-50  
V
CBO  
EBO  
-5.0  
V
I
- Continuous  
-1.5  
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above whitch the serviceability of any semiconductor device may be impaird.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Sustaining Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
I
= -10mA, I = 0  
-40  
-50  
-5.0  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= -1.0mA, I = 0  
E
= -100µA, I = 0  
V
C
I
I
V
V
= -50V, I = 0  
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
= -5.0V, I = 0  
C
EBO  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
I
I
= -10mA, V = -1.0V  
55  
60  
50  
FE  
C
C
C
CE  
= -100mA, V = -1.0  
CE  
= -1.0A, V = -1.0V  
250  
-0.5  
-1.2  
CE  
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= -1.0A, I = -100mA  
V
V
CE  
C
C
B
= -1.0A, V = -1.0V  
BE  
CE  
Small Signal Characteristics  
h
Small Signal current Gain  
Collector-Base Capacitance  
I
= -50mA, V = -10V, f = 20MHz  
2.5  
25  
30  
fe  
C
CE  
C
V
= -10V, I = 0, f = 1.0MHz  
pF  
cb  
CB  
E
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 1.0%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
1.0  
8.0  
W
mW/°C  
D
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
°C/W  
θJA  
2
* Device mounted on FR-4PCB 36mm × 18mm × 1.5mm; mounting pad for the collector lead min. 6cm .  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, December 2003  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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