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NZT7053

更新时间： 2024-01-06 11:22:42
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
NPN Darlington Transistor

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NZT7053 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.52
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

NZT7053 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
2N7052  
2N7053  
NZT7053  
C
E
C
TO-92  
C
B
B
TO-226  
C
E
SOT-223  
B
E
NPN Darlington Transistor  
This device is designed for applications requiring extremely high  
gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage.  
Sourced from Process 06.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
100  
100  
V
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
12  
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
1.5  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N7052  
2N7053  
*NZT7053  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
1,000  
8.0  
125  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
50  
125  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.  
ã 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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NZT7053 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSP52,115 NXP

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 		1500mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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