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NZT749

更新时间： 2024-10-29 21:54:47
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体驱动器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 40K
描述
PNP Current Driver Transistor

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NZT749 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SOT-223, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.43
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：65JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：75 MHzBase Number Matches：1

NZT749 数据手册

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NZT749  
PNP Current Driver Transistor  
4
•
This device is designed for power amplifier, regulator and switching  
circuit where speed is important.  
•
Sourced from process 5P.  
3
2
1
SOT-223  
1. Base 2, 4. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-25  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
CEO  
-35  
V
CBO  
EBO  
-5.0  
V
I
- Continuous  
-4.0  
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
I
I
I
= -10mA, I = 0  
-25  
-35  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= -100µA, I = 0  
E
= -10µA, I = 0  
-5.0  
V
C
I
I
V
V
= -30V, I = 0  
-100  
-0.1  
nA  
µA  
CB  
EB  
E
= -4V, I = 0  
EBO  
C
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
V
V
V
= -2.0V, I = -50mA  
70  
80  
65  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= -2.0V, I = -1.0A  
300  
C
= -2.0V, I = -2.0A  
C
V
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
I
= -1.0A, I = -100mA  
-0.3  
-1.25  
-1.0  
V
V
V
CE(sat)  
BE(sat)  
BE(on)  
C
C
C
B
= -1.0A, I = -100mA  
B
= -1.0A, V = -2.0V  
CE  
Small Signal Characteristics  
Current gain Bandwidth Product  
f
V
= -5.0V, I = -50mA  
75  
MHz  
T
CE  
C
f = 100MHz  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
1.2  
9.7  
W
mW/°C  
D
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
103  
°C/W  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, July 2004  
123

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