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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NZT44H8S62Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN |
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| NZT44H8-S62Z | TI |
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8000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261 |
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| NZT45C11 | FAIRCHILD |
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PNP Current Driver Transistor |
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| NZT45C11D84Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| NZT45C11L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| NZT45C11S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| NZT45H8 | FAIRCHILD |
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PNP Power Amplifier |
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| NZT45H8 | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 功率放大器 |
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| NZT45H8_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| NZT45H8D84Z | TI |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-261 |
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