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NVTA7002NT1G

更新时间： 2024-01-15 19:04:48
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 105K
描述
30 V, 154 mA, Single, N−Channel, Gate ESD Protection, SC-75

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NVTA7002NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：1.52
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.154 A最大漏极电流 (ID)：0.154 A
最大漏源导通电阻：7.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：6 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVTA7002NT1G 数据手册

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NTA7002N, NVTA7002N  
Small Signal MOSFET  
30 V, 154 mA, Single, N−Channel, Gate  
ESD Protection, SC−75  
http://onsemi.com  
Features  
• Low Gate Charge for Fast Switching  
• Small 1.6 x 1.6 mm Footprint  
• ESD Protected Gate  
• NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
R
I MAX  
D
(Note 1)  
DS(on)  
V
Typ @ V  
(BR)DSS  
GS  
1.4 W @ 4.5 V  
2.3 W @ 2.5 V  
30 V  
154 mA  
3
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
Applications  
1
• Power Management Load Switch  
• Level Shift  
• Portable Applications such as Cell Phones, Media Players,  
Digital Cameras, PDA’s, Video Games, Hand−Held Computers, etc.  
2
N−Channel  
PIN CONNECTIONS  
SC−75 (3−Leads)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
Gate  
1
V
30  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
"10  
154  
GS  
3
Drain  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady State = 25°C  
Steady State = 25°C  
I
D
mA  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
300  
618  
mW  
D
Source  
3
2
Pulsed Drain Current  
t
P
v 10 ms  
I
mA  
DM  
(Top View)  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
MARKING DIAGRAM  
T
3
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
154  
260  
mA  
SD  
2
T6 MG  
1
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
SC−75 / SOT−416  
CASE 463  
G
1
2
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
STYLE 5  
T6 = Specific Device Code  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
(Note: Microdot may be in either location)  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
R
416  
°C/W  
q
JA  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
October, 2012 − Rev. 5  
NTA7002N/D  
 
12345

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与NVTA7002NT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVTFS002N04CLTAG ONSEMI

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 		单 N 沟道，40 V，2.2 Ω，142 A，功率 MOSFET
NVTFS002N04CTAG ONSEMI

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 		功率 MOSFET，40 V，2.4 mΩ，136 A，单 N 沟道
NVTFS003N04CTAG ONSEMI

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 		单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，103A，3.5mΩ
NVTFS004N04CTAG ONSEMI

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 		单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，77A，4.9mΩ
NVTFS005N04CTAG ONSEMI

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 		Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 5.6 mOhms, 69 A
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NVTFS008N04CTAG ONSEMI

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NVTFS010N10MCLTAG ONSEMI

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 		单 N 沟道功率 MOSFET 100V，53A，10.3mΩ
NVTFS012P03P8ZTAG ONSEMI

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 		Power MOSFET, Single, P-Channel, WDFN6, -30 V
NVTFS014P04M8LTAG ONSEMI

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 		Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 m

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