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NVTFS005N04CTAG

更新时间： 2024-01-08 16:25:36
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 303K
描述
Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 5.6 mOhms, 69 A

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NVTFS005N04CTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：5.75
雪崩能效等级（Eas）：103 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.0056 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：22 pFJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：297 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVTFS005N04CTAG 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Power, Single,  
N-Channel  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
40 V  
5.6 mW @ 10 V  
69 A  
40 V, 5.6 mW, 69 A  
N−Channel  
NVTFS005N04C  
D (5 − 8)  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
G (4)  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• NVTFWS005N04C − Wettable Flanks Product  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
S (1, 2, 3)  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
1
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 511AB  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain  
Current R  
(Notes 1, 2, 3, 4)  
Steady  
State  
T
T
= 25°C  
I
D
69  
A
C
q
JC  
= 100°C  
39  
C
WDFNW8 3.3x3.3, 0.65P (Full−Cut m8FL WF)  
CASE 515AN  
Power Dissipation  
T
T
= 25°C  
P
50  
16  
17  
W
A
C
D
R
(Notes 1, 2, 3)  
q
JC  
= 100°C  
C
Continuous Drain  
Current R  
Steady T = 25°C  
I
D
A
State  
MARKING DIAGRAM  
q
JA  
T = 100°C  
A
12  
(Notes 1, 3, 4)  
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Power Dissipation  
T = 25°C  
P
3.1  
1.6  
297  
W
A
D
XXXX  
AYWWG  
G
R
(Notes 1, 3)  
q
JA  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
XXXX = Specific Device Code  
A
= Assembly Location  
= Year  
Source Current (Body Diode)  
I
S
42  
A
Y
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
103  
mJ  
AS  
Energy (I  
= 4.6 A)  
L(pk)  
(Note: Microdot may be in either location)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from Case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol  
Value  
3.0  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State (Note 3)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
°C/W  
q
q
JC  
R
47.7  
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (Y) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
4. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2019  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 2  
NVTFS005N04C/D  
 
12345678

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与NVTFS005N04CTAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVTFS007N08HLTAG ONSEMI

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 		Single N-Channel Power MOSFET 80V, 71A, 7mΩ
NVTFS008N04CTAG ONSEMI

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 		Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 7.1 mOhms, 48 A
NVTFS010N10MCLTAG ONSEMI

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 		Power MOSFET, Single, N-Channel, µ8FL, 60 V,
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