是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SO-8FL, DFN5, 6 PIN | Reach Compliance Code: | not_compliant |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 0.49 |
雪崩能效等级(Eas): | 88 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏源导通电阻: | 0.013 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 290 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NVMFS5C673NLWFT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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NVMFS5C673NLWFT3G | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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NVMFS5C677NLT1G | ONSEMI |
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功率 MOSFET,单 N 沟道,60 V,36 A,15.0 mΩ |
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NVMFS5C677NLWFT1G | ONSEMI |
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功率 MOSFET,单 N 沟道,60 V,36 A,15.0 mΩ |
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NVMFS5C680NLT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET,N-Channel, 60 V, 21 A, 27.5 mΩ |
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NVMFS5C680NLWFT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET,N-Channel, 60 V, 21 A, 27.5 mΩ |
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NVMFS5C682NL | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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NVMFS5C682NLAFT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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NVMFS5C682NLT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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NVMFS5C682NLT3G | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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