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NVMFS5C673NLWFAFT1G PDF预览

NVMFS5C673NLWFAFT1G

更新时间： 2024-02-04 03:11:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 134K
描述
Power MOSFET

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NVMFS5C673NLWFAFT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SO-8FL, DFN5, 6 PINReach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：0.49
雪崩能效等级（Eas）：88 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVMFS5C673NLWFAFT1G 数据手册

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NVMFS5C628NL  
Power MOSFET  
60 V, 2.4 mW, 150 A, Single N−Channel  
Features  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
www.onsemi.com  
G
• NVMFS5C628NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical  
Inspection  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
2.4 mW @ 10 V  
3.3 mW @ 4.5 V  
60 V  
150 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
D (5)  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
I
150  
A
C
D
G (4)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
110  
(Notes 1, 3)  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T
C
= 25°C  
P
110  
56  
W
A
D
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
R
(Note 1)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
28  
q
JA  
T = 100°C  
A
20  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
MARKING  
DIAGRAM  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.7  
1.9  
900  
W
D
R
(Notes 1 & 2)  
q
JA  
T = 100°C  
A
D
1
S
S
S
G
D
D
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
DFN5  
(SO−8FL)  
CASE 488AA  
STYLE 1  
XXXXXX  
AYWZZ  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
+ 175  
Source Current (Body Diode)  
I
S
120  
565  
A
D
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
XXXXXX = 5C628L  
XXXXXX = (NVMFS5C628NL) or  
XXXXXX = 628LWF  
Energy (I  
= 9 A)  
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
XXXXXX = (NVMFS5C628NLWF)  
A
Y
W
ZZ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Junction−to−Case − Steady State  
R
1.3  
40  
°C/W  
q
JC  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
February, 2017 − Rev. 2  
NVMFS5C628NL/D  
 
123456

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