是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | DFN | 包装说明: | S-PDSO-N6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.74 |
最小击穿电压: | 5.2 V | 击穿电压标称值: | 5.5 V |
外壳连接: | ANODE | 配置: | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 4 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 4 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
ESD8104MUTAG | ONSEMI |
功能相似 |
ESD Protection Diode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NUP4012PXV6 | ONSEMI |
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Quad Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP4012PXV6T1G | ONSEMI |
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Quad Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP4016 | ONSEMI |
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Ultra-Low Capacitance Diode-TVS Array for High Speed Data Line Protection | |
NUP4016P5T5G | ONSEMI |
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Ultra-Low Capacitance Diode-TVS Array for High Speed Data Line Protection | |
NUP4060AXV6 | ONSEMI |
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4−Line Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP4060AXV6T1G | ONSEMI |
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4−Line Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP4101FCT1/D | ETC |
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5-Pin Lateral Bi-DirectionalZener Array | |
NUP4102XV6 | ONSEMI |
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6−Pin Bi−Directional Quad TVS Array | |
NUP4102XV6T1 | ONSEMI |
获取价格 |
100W, BIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN | |
NUP4102XV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
6−Pin Bi−Directional Quad TVS Array |