是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | R-PDSO-F6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.68 |
其他特性: | LOW CAPACITANCE | 最大击穿电压: | 16 V |
最小击穿电压: | 14 V | 击穿电压标称值: | 15 V |
配置: | COMPLEX | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 100 W | 元件数量: | 8 |
端子数量: | 6 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | BIDIRECTIONAL |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 12 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NUP4102XV6T1G | ONSEMI |
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6−Pin Bi−Directional Quad TVS Array | |
NUP4103FC | ONSEMI |
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Four Channel ESD Array | |
NUP4103FCT1 | ONSEMI |
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Four Channel ESD Array | |
NUP4103FCT1/D | ETC |
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4 Channel ESD Array | |
NUP4103FCT1G | ONSEMI |
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Four Channel ESD Array | |
NUP4104X6/D | ETC |
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4-Line Transient Voltage Suppressor Array | |
NUP4104X6T1 | ONSEMI |
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150W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 P | |
NUP4104X6T1 | ROCHESTER |
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150 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 | |
NUP4105MU | ONSEMI |
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Low Capacitance ESD Protection Array for High Speed Data Lines Protection | |
NUP4105MUTAG | ONSEMI |
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Low Capacitance ESD Protection Array for High Speed Data Lines Protection |