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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTS4101PT1
NTS4101PT1 PDF预览

NTS4101PT1

更新时间： 2024-11-20 02:54:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 128K
描述
Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70

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NTS4101PT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.37 A
最大漏极电流 (ID)：1.37 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：85 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.329 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTS4101PT1 数据手册

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NTS4101P  
Power MOSFET  
−20 V, −1.37 A, Single P−Channel, SC−70  
Features  
• Leading −20 V Trench for Low R  
http://onsemi.com  
DS(on)  
• −2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive  
• SC−70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)  
• Pb−Free Package is Available  
V
R
Typ  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
83 mW @ −4.5 V  
88 mW @ −3.6 V  
−20 V  
−1.37 A  
Applications  
104 mW @ −2.5 V  
• High Side Load Switch  
• Charging Circuit  
• Single Cell Battery Applications such as: Cell Phones,  
P−Channel MOSFET  
S
Digital Cameras, PDAs  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
G
V
DSS  
−20  
8
V
V
A
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
D
−1.37  
−0.62  
0.329  
A
D
T = 70°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
D
W
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
−4.0  
A
p
DM  
3
D
3
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
T
STG  
1
2
TT M G  
Source Current (Body Diode), Continuous  
I
S
−0.5  
A
G
SC−70/SOT−323  
CASE 419  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
2
1
G
S
STYLE 8  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
TT  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Symbol  
Max  
Units  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
R
380  
°C/W  
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NTS4101PT1  
SOT−323  
3000/Tape & Reel  
SOT−323  
(Pb−Free)  
NTS4101PT1G  
3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 206  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 2  
NTS4101P/D  
12345

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NTS4101PT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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