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NTP52N10G

更新时间： 2024-11-23 13:12:03
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安森美 - ONSEMI /
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NTP52N10G 数据手册

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NTP52N10  
Power MOSFET  
52 Amps, 100 Volts  
N−Channel Enhancement Mode TO−220  
Features  
• Source−to−DrainDiode Recovery Time comparable to a Discrete  
Fast Recovery Diode  
http://onsemi.com  
• Avalanche Energy Specified  
52 AMPERES  
100 VOLTS  
30 mΩ @ VGS = 10 V  
• I  
and R  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
Typical Applications  
• PWM Motor Controls  
• Power Supplies  
• Converters  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
G
Drain−to−Source Voltage (R = 1.0 MΩ)  
V
100  
GS  
S
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
GS  
"20  
"40  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
V
GSM  
p
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Drain− Continuous @ T 25°C  
I
D
I
D
52  
40  
Adc  
A
− Continuous @ T 100°C  
A
− Pulsed (Note 1.)  
I
156  
DM  
4
Drain  
Total Power Dissipation @ T 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
178  
1.43  
Watts  
W/°C  
A
4
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Single Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
800  
mJ  
NTP52N10  
LLYWW  
AS  
− Starting T = 25°C  
J
(V = 50 V, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
1
3
I (pk) = 40 A, L = 1.0 mH, R = 25 Ω)  
L
G
Gate  
Source  
1
Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
2
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient  
R
0.7  
62.5  
3
θ
JC  
JA  
2
R
θ
Drain  
NTP52N10 = Device Code  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
LL  
= Location Code  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
1. Pulse Test: Pulse Width = 10 µs, Duty Cycle = 2%.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
NTP52N10  
Package  
Shipping  
50 Units/Rail  
TO−220AB  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
December, 2003 − Rev. 2  
NTP52N10/D  
 
12345678

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NTP52N10G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTP13N10 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 13 A, 100 V, N−Channel Enhancement−Mode TO−220
NTP13N10G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 13 A, 100 V, N−Channel Enhancement−Mode TO−220
NTP52N10 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts

与NTP52N10G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTP53121G0FUAV NXP

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NTP53121G0JHK NXP

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 		NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge
NTP53121G0JHKZ NXP

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 		NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge
NTP53121G0JT NXP

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 		NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge
NTP53121G0JTT NXP

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 		NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge
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NTP53121G0JTZ NXP

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NTP53321G0JHKZ NXP

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 		Interface Circuit

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