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NTP5863N

更新时间： 2024-11-23 19:49:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 102K
描述
TRANSISTOR 96 A, 60 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN, FET General Purpose Power

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NTP5863N 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.47雪崩能效等级（Eas）：140 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：96 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：383 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTP5863N 数据手册

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NTP5863N  
Advance Information  
N-Channel Power MOSFET  
60 V, 96 A, 8 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free and are RoHS Compliant  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
60 V  
8.0 mW @ 10 V  
96 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
D
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Gate−to−Source Voltage − Nonrepetitive  
V
$20  
30  
V
GS  
V
GS  
V
G
(T < 10 ms)  
P
Continuous Drain  
Current  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
96  
68  
A
C
C
D
S
T
N−CHANNEL MOSFET  
C
Power Dissipation  
Steady  
State  
T
P
150  
W
D
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
383  
A
DM  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
S
96  
A
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
140  
mJ  
AS  
Energy (L = 0.1 mH, I  
= 53 A)  
1
L(pk)  
2
3
Lead Temperature for Soldering  
Purposes (1/8″ from Case for 10 Seconds)  
T
260  
°C  
L
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
4
Drain  
Symbol  
Max  
1.0  
36  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
q
JC  
°C/W  
R
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
NTP  
5863NG  
AYWW  
1
Gate  
3
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
Source  
2
Drain  
G
= Pb−Free Device  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
This document contains information on a new product. Specifications and information  
herein are subject to change without notice.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
May, 2011 − Rev. P0  
NTP5863N/D  
 
123456

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