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NTP5863NG

更新时间： 2024-11-24 11:13:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 126K
描述
Power MOSFET 60V 97A 7.8 mOhm Single N-Channel TO-220

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NTP5863NG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
雪崩能效等级（Eas）：157 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：97 A最大漏源导通电阻：0.0078 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：383 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTP5863NG 数据手册

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NTP5863N  
N-Channel Power MOSFET  
60 V, 97 A, 7.8 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
http://onsemi.com  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free and are RoHS Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
60 V  
7.8 mW @ 10 V  
97 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
D
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
$20  
30  
V
GS  
GS  
Gate−to−Source Voltage − Nonrepetitive  
(T < 10 ms)  
P
V
V
G
Continuous Drain  
Current  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
97  
68  
A
C
D
T
C
S
N−CHANNEL MOSFET  
Power Dissipation  
Steady  
State  
T
C
P
150  
W
D
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
383  
A
DM  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
S
97  
A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
157  
mJ  
TO−220AB  
Energy (L = 0.1 mH, I  
= 56 A)  
L(pk)  
CASE 221A  
STYLE 5  
1
Peak Diode Recovery (dV/dt)  
dV/dt  
4.1  
V/ns  
2
3
Lead Temperature for Soldering  
Purposes (1/8″ from Case for 10 Seconds)  
T
L
260  
°C  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
4
Drain  
Symbol  
Max  
1.0  
36  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
R
q
JA  
NTP  
5863NG  
AYWW  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
1
Gate  
3
Source  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
2
Drain  
G
= Pb−Free Device  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
July, 2011 − Rev. 2  
NTP5863N/D  
 
123456

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NTP5863NG 替代型号

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