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NTP5860NG

更新时间： 2024-11-26 12:22:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 123K
描述
N-Channel Power MOSFET

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NTP5860NG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：TO-220AB
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：6.14雪崩能效等级（Eas）：735 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：220 A
最大漏极电流 (ID)：220 A最大漏源导通电阻：0.003 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：283 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：660 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTP5860NG 数据手册

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NTB5860N, NTP5860N,  
NVB5860N  
N-Channel Power MOSFET  
60 V, 220 A, 3.0 mW  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free and are RoHS Compliant  
60 V  
3.0 mW @ 10 V  
220 A  
• NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
S
N−CHANNEL MOSFET  
V
GS  
$20  
220  
156  
283  
V
4
Continuous Drain  
Current, R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
q
JC  
T
C
4
Power Dissipation,  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
W
q
JC  
1
2
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
660  
130  
A
A
DM  
3
2
Current Limited by Package  
I
DMmax  
TO−220AB  
D PAK  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418B  
STYLE 2  
1
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
2
3
Source Current (Body Diode)  
I
130  
735  
A
S
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (L = 0.3 mH)  
E
AS  
mJ  
4
4
Drain  
Lead Temperature for Soldering  
Purposes (1/8″ from Case for 10 Seconds)  
T
260  
°C  
L
Drain  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
NTB  
5860NG  
AYWW  
Symbol  
Max  
0.53  
28  
Unit  
NTP  
5860NG  
AYWW  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
R
2
q
JA  
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Source  
Source  
2
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location*  
= Year  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
WW = Work Week  
*Could be one or two digit alpha or numeric code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
September, 2012 − Rev. 2  
NTB5860N/D  
 
1234567

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NTP5860NG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTP5860NLG ONSEMI

完全替代

 功率 MOSFET，60V，169A，3mΩ，单 N 沟道，TO-220，逻辑电平

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTP5860NL ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET
NTP5860NLG ONSEMI

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NTP5863N ONSEMI

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 		5A, 600V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
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 		Power MOSFET 5 Amps， 600 Volts
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