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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | CASE 221A-09, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.35 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 52 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 178 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 156 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTP52N10G | ONSEMI |
类似代替  |
暂无描述 |
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| NTP13N10 | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 13 A, 100 V, N−Channel Enhancement−Mode TO−220 |
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| NTP13N10G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 13 A, 100 V, N−Channel Enhancement−Mode TO−220 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTP52N10/D | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts |
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| NTP52N10D | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts |
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| NTP52N10G | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| NTP53121G0FUAV | NXP |
获取价格 |
NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge |
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| NTP53121G0JHK | NXP |
获取价格 |
NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge |
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| NTP53121G0JHKZ | NXP |
获取价格 |
NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge |
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| NTP53121G0JT | NXP |
获取价格 |
NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge |
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| NTP53121G0JTT | NXP |
获取价格 |
NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge |
|
| NTP53121G0JTTZ | NXP |
获取价格 |
NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge |
|
| NTP53121G0JTZ | NXP |
获取价格 |
NTAG 5 link - NFC Forum-compliant I2C bridge |
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