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NTE870

更新时间： 2024-11-22 22:30:31
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NTE 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
Integrated Circuit Dual Operational Transconductance Amp

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NTE870 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：DIP
包装说明：,针数：16
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.79
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：8 µA
标称共模抑制比：110 dB最大输入失调电压：5000 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T16负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：2
端子数量：16最高工作温度：75 °C
最低工作温度：-20 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified标称压摆率：50 V/us
子类别：Operational Amplifier供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
温度等级：COMMERCIAL EXTENDED端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUALBase Number Matches：1

NTE870 数据手册

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NTE870  
Integrated Circuit  
Dual Operational Transconductance Amp  
Description:  
The NTE870 consists of two current controlled transconductance amplifiers each with differential in-  
puts and a push–pull output. The two amplifiers share common supplies but otherwise operate inde-  
pendently. Linearizing diodes are provided at the inputs to reduce distortion and allow higher input  
levels resulting in a 10dB signal–to–noise improvement referenced to 0.5 percent THD. Controlled  
impedance buffers are provided which are especially designed to complement the dynamic range of  
the amplifiers.  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Supply Voltage, V+/V– . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V or ±18V  
Differential Input Voltage, VID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±5V  
Diode Bias Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mA  
Amp Bias Current, IABC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mA  
Buffer Output Current, Io . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA  
Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570mW  
DC Input Voltage, VIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V+ to V–  
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –20° to +75°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C, V+/V– = ±15V, IABC = 500µA unless otherwise specified)  
Parameter  
Input Offset Voltage (V  
Input Offset Voltage  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
–
Typ  
0.4  
0.3  
0.5  
0.1  
0.4  
1.0  
Max  
5.0  
5.0  
5.0  
–
Unit  
mV  
mV  
mV  
mV  
µA  
)
OS  
V
IO  
I
= 5µA  
–
ABC  
V
OS  
Including Diodes  
Diode Base Current, I = 500µA  
–
D
Input Offset Change  
Input Bias Current  
5µA ≤ I  
≤ 500µA  
–
ABC  
I
B
–
5.0  
8.0  
T = –20° to +75°C  
–
µA  
A
123

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