NTE89

更新时间： 2024-10-31 22:50:55

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NTE		晶体二极管晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Output w/Internal Damper Diode

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NTE89 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.66	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	50 W
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

NTE89 数据手册

NTE89

Silicon NPN Transistor

Color TV Horizontal Output

^w/Internal Damper Diode

Features:

D Color TV Horizontal Output Applications

D High Voltage: V_CBO= 1500V

D Low Saturation Voltage: V_CE(sat)= 5V Max (I_C= 5A, I_B= 1A)

D High Speed: t_f= 1.0µs Max

D Built–In Damper Diode

D Glass Passivated Collector–Base Junction

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Emitter Current, I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –6A

Collector Power Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter–Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

Symbol

Test Conditions

V_CB= 500V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

I_CBO

–

µA

V_(BR)EBOI_E= 200mA, I_C= 0

h_FEV_CE= 5V, I_C= 1A

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 5A, I_B= 1A

Base–Emitter Saturation Voltage

Forward Voltage (Damper Diode)

Transition Frequency

V_BE(sat)I_C= 5A, I_B= 1A

–

1.5

2.0

–

–V_F

f_T

I_F= 6A

1.6

V_CE= 10V, I_C= 100mA

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

I_CP= 5A, I_B1(end)= 1A

MHz

µs

Collector Output Capacitance

Fall Time

C_ob

t_f

165

0.5

–

1.0

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