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NTE909

更新时间： 2024-02-21 14:02:01
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NTE 运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
3页 31K
描述
Integrated Circuits Operational Amplifier

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NTE909 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP14,.3针数：14
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.77
Is Samacsys：N放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：1.5 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：1.5 µA标称共模抑制比：90 dB
频率补偿：NO最大输入失调电压：7500 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T14低-失调：NO
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：14
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE电源：+-9/+-15 V
认证状态：Not Qualified标称压摆率：0.25 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：6.6 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
最小电压增益：15000Base Number Matches：1

NTE909 数据手册

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NTE909 & NTE909D  
Integrated Circuits  
Operational Amplifier  
Description:  
These devices are monolithic operational amplifiers intended for general–purpose applications. Op-  
eration is completely specified over the range of voltages commonly used for these devices. The de-  
sign, in addition to providing high gain, minimizes both offset voltages and bias currents. Further, the  
class–B output stage gives a large output capability with minimum power drain.  
External components are used to frequency compensate the amplifier. Although the unity–gain com-  
pensation network specified will make the amplifiers unconditionally stable in all feedback configura-  
tions, compensation can be tailored to optimize high–frequency performance for any gain setting.  
The fact that the amplifiers are built on a single silicon chip provides low offset and temperature drift  
at minimum cost. It also ensures negligble drift due to temperature gradients in the vicinity of the am-  
plifier.  
Absolute Maximum Ratings:  
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18V  
Power Dissipation (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mW  
Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10V  
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10V  
Output Short–Circuit Duration (TA = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 seconds  
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° to +70°C  
Lead Temperature (Soldering, 10 seconds) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C  
Note 1 For operating at elevated temperatures, the device must be derated based on a 100°C maxi-  
mum junction temperature and a thermal resistance 150°C/W junction to ambient or 45°C/W,  
junction to case for the metal can package.  
Electrical Characteristics: (0°C ≤ TA = ≤ +70°C, ±9V ≤ VS ≤ ±15V, C1 = 5000pF, R1 = 1.5k,  
C2 = 200pF and R2 = 51Ω unless otherwise specified)  
Parameter  
Input Offset Voltage  
Test Conditions  
TA = +25°C, RS ≤ 10kΩ  
TA = +25°C  
Min Typ Max Unit  
–
–
–
–
–
–
2.0  
7.5  
mV  
nA  
µA  
nA  
nA  
nA  
Input Bias Current  
300 1500  
0.36 2.0  
100 500  
TA = TMIN  
Input Offset Current  
TA = +25°C  
TA = TMIN  
75  
400  
TA = TMAX  
125 750  
123

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