NTE907

更新时间： 2024-11-21 22:19:55

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NTE		整流二极管
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3页	30K
描述
Integrated Circuit Diode Array

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NTE907 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	O-MBCY-W12	针数：	12
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.71
其他特性：	ULTRA FAST	外壳连接：	CATHODE
配置：	SEPARATE, 6 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-MBCY-W12
元件数量：	6	端子数量：	12
最大输出电流：	0.025 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大功率耗散：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.001 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

NTE907 数据手册

NTE907

Integrated Circuit

Diode Array

Description:

The NTE907 consists of six ultra–fast, low capacitance diodes on a common monolithic substrate.

Five of the diodes are independently accessible, with the sixth sharing a common terminal with the

substrate. The NTE907 comes in a 12–Lead TO5 type package.

Features:

D Excellent Reverse Recovery Time: 1ns typ.

D Matched Monolithic Construction: V_Fmatched within 5mV

D Low Diode Capacitance: C_D= 0.65pF typical at V_R= –2V

Applications:

D Balanced Modulators or Demodulators

D Ring Modulators

D High Speed Diode Gates

D Analog Switches

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Power Dissipation, P_D

Any one diode unit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mW

Total for device . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW

For T_A> 55°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . derate linearly 5.7mW/°C

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Peak Inverse Voltage, P_IV

D₁– D₅. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

D₆. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5V

Peak Diode–to–Substrate Voltage, V_DI

for D₁–D₅(Pin1, 4, 5, 8, or 12 to Pin10) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20V, –1V

DC Forward Current, I_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25mA

Peak Recurrent Forward Current, I_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Peak Forward Surge Current, I_F(Surge) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Lead Temperature, T_L

(During soldering 1/16 ±1/32” (1.59 ± 0.79mm) from case for 10sec Max) . . . . . . . . . +265°C

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