NTE91

更新时间： 2024-01-13 02:31:50

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose High Gain Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE91 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	TO-92, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-XBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

NTE91 数据手册

NTE90 (NPN) & NTE91 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose High Gain Amplifier

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C)

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 1mA, R_BE= ∞

120

–

Collector–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

V_(BR)CBOI_C= 10µA, I_E= 0

I_CBO

h_FE1

h_FE2

V_BE

V_CB= 100V, I_B= 0

–

0.5 µA

V_CE= 12V, I_C= 2mA

V_CE= 12V, I_C= 10mA

V_CE= 12V, I_C= 2mA

400

125

–

800

–

Base–Emitter Voltage

–

0.75

0.2

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Current Gain–Bandwidth Product

Collector Output Capacitance

V_CE(sat)I_C= 10mA, I_B= 1mA

–

f_T

V_CE= 12V, I_C= 5mA

–

350

1.6

MHz

C_ob

V_CB= 25V, I_E= 0, f = 1MHz

–

中文翻译

下载PDF

NTE91 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SA921	PANASONIC	功能相似	For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary
2SA0921	PANASONIC	功能相似	For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary

与NTE91相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE910	ETC	获取价格	Analog IC
NTE910D	ETC	获取价格	Analog IC
NTE911	NTE	获取价格	Integrated Circuit Dual Voltage Comparator
NTE911D	ETC	获取价格	Analog IC
NTE912	NTE	获取价格	Integrated Circuit General Purpose Transistor Array (Three Isolated Transistors and One Di
NTE9135	ETC	获取价格	Logic IC
NTE914	NTE	获取价格	Integrated Circuit Zero-Voltage Switch
NTE915	NTE	获取价格	Integrated Circuit High−Speed Operational Amplifier
NTE9157	ETC	获取价格	Logic IC
NTE9158	NTE	获取价格	Logic Circuit,

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE91

NTE91 技术参数

NTE91 数据手册

NTE91 替代型号

与NTE91相关器件

与NTE91相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE91

NTE91 技术参数

NTE91 数据手册

NTE91 替代型号

与NTE91相关器件

与NTE91相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？