NTE906

更新时间： 2024-11-21 22:19:55

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NTE		运算放大器放大器电路
页数	文件大小	规格书
3页	33K
描述
Integrated Circuit Dual, High Frequency, Differential Amplifier

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NTE906 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	,	针数：	12
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：	33 µA	标称共模抑制比：	100 dB
JESD-30 代码：	O-MBCY-W12	标称负供电电压 (Vsup)：	-12 V
功能数量：	2	端子数量：	12
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Operational Amplifier	标称供电电压 (Vsup)：	12 V
表面贴装：	NO	温度等级：	MILITARY
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

NTE906 数据手册

NTE906

Integrated Circuit

Dual, High Frequency, Differential Amplifier

Description:

The NTE906 is an integrated circuit in a 12–Lead TO5 type package consisting of two independent

differential amplifiers with associated constant–current transistors on a common monolithic sub-

strate. The six transistors which comprise the amplifiers are general–purpose devices which exhibit

low 1/f noise and a value of f_Tin excess of 1GHz. These features make the NTE906 useful from DC

to 500MHz. Bias and load resistors have been omitted to provide maximum application flexibility.

The monolithic construction of the NTE906 provides close electrical and thermal matching of the am-

plifiers. This feature makes this device particularly useful in dual–channel applications where

matched performance of the two channels is required.

Features:

D Power Gain: 23dB (Typ) @ 200MHz

D Noise Figure: 4.6dB (Typ) @ 200MHz

D Two Different Amplifiers on a Common Substrate

D Independently Accessible Input and Outputs

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Power Dissipation, P_D

Any One Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Total Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW

Derate Above +55°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

The following ratings apply for each transistor:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Substrate Voltage (Note 1), V_CIO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Note 1. The collector of each transistor is isolated from the substrate by an integral diode. The sub-

strate (Pin9) must be connected to the most negative point in the external circuit to maintain

isolation between transistors and to provide for normal transistor action.

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