NTE90

更新时间： 2024-10-31 22:19:55

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose High Gain Amplifier

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NTE90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	TO-92, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-XBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

NTE90 数据手册

NTE90 (NPN) & NTE91 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose High Gain Amplifier

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C)

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 1mA, R_BE= ∞

120

–

Collector–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

V_(BR)CBOI_C= 10µA, I_E= 0

I_CBO

h_FE1

h_FE2

V_BE

V_CB= 100V, I_B= 0

–

0.5 µA

V_CE= 12V, I_C= 2mA

V_CE= 12V, I_C= 10mA

V_CE= 12V, I_C= 2mA

400

125

–

800

–

Base–Emitter Voltage

–

0.75

0.2

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Current Gain–Bandwidth Product

Collector Output Capacitance

V_CE(sat)I_C= 10mA, I_B= 1mA

–

f_T

V_CE= 12V, I_C= 5mA

–

350

1.6

MHz

C_ob

V_CB= 25V, I_E= 0, f = 1MHz

–

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