NTE912

更新时间： 2024-11-21 22:50:51

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NTE		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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3页	33K
描述
Integrated Circuit General Purpose Transistor Array (Three Isolated Transistors and One Differentially-Connected Transistor Pair)

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NTE912 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T14
针数：	14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	2.32	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	COMPLEX	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDIP-T14	元件数量：	5
端子数量：	14	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	550 MHz
Base Number Matches：	1

NTE912 数据手册

NTE912

Integrated Circuit

General Purpose Transistor Array

(Three Isolated Transistors and One Differentially–Connected Transistor Pair)

Description:

The NTE912 consists of five general–purpose silicon NPN transistors on a common monolithic sub-

strate in a 14–Lead DIP type package. Two of the transistors are internally connected to form a differ-

entially–connected pair.

The transistors of the NTE912 are well suited to a wide variety of applications in low power systems

in the DC through VHF range. They may be used as discrete transistors in conventional circuits. How-

ever, in addition, they provide the very significant inherent integrated circuit advantages of close elec-

trical and thermal matching.

Features:

D Two Matched Pairs of Transistors:

V_BEmatched ±5mV

Input Offset Current 2µA Max. @ I_C= 1mA

D 5 General Purpose Monolithic Transistors

D Operation from DC to 120MHz

D Wide Operating Current Range

D Low Noise Figure: 3.2dB Typ @ 1kHz

Applications:

D General Use In All Types of Signal Processing Systems Operating Anywhere in the Frequency

Range from DC to VHF

D Custom Designed Differential Amplifiers

D Temperature Compensated Amplifiers

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Power Dissipation (T_A≤ +55°C), P_D

Each Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Total Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW

Derate Above 55°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.67mW/°C

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector Substrate Voltage (Note 1), V_CIO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec max), T_L. . . . . . . . . . . +265°C

Note 1. The collector of each transistor is isolated from the substrate by an integral diode. The sub-

strate (Pin13) must be connected to the most negative point in the external circuit to maintain

isolation between transistors and to provide for normal transistor action.

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