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NTE888M

更新时间： 2024-11-22 22:50:47

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NTE		运算放大器
页数	文件大小	规格书
3页	29K
描述
Integrated Circuit Low Power Programmable Operational Amplifier

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NTE888M 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.26
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.05 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.05 µA
标称共模抑制比：	90 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电压：	7500 µV	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
低-失调：	NO	微功率：	YES
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	电源：	+-15 V
可编程功率：	YES	认证状态：	Not Qualified
标称压摆率：	0.8 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	0.2 mA	供电电压上限：	18 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
技术：	BIPOLAR	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	最小电压增益：	50000
Base Number Matches：	1

NTE888M 数据手册

NTE888M

Integrated Circuit

Low Power Programmable Operational Amplifier

Description:

The NTE888M is an operational amplifier in an 8–Lead DIP type package featuring low power con-

sumption and high input impedance. In addition, the quiescent currents within this device may be

programmed by the choice of an external resistor value or current source applied to the I_SETinput.

This allows the NTE888M’s characteristics to be optimized for input current and power consumption

despite wide variations in operating power supply voltages.

Features:

D ±1.2V to ±18V Operation

D Wide Programming Range

D Offset Null Capability

D No Frequency Compensation Required

D Low Input Bias Currents

D Short–Circuit Protection

Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise noted)

Power Supply Voltages, V_CC, V_EE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18V

Differential Input Voltage, V_ID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Common–Mode Input Voltage, V_ICM

V_CCand |V_EE| < 15V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V_CC, V_EE

V_CCand |V_EE| ≥ 15V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V

Offset Null to V_EEVoltage, V_off– V_EE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±0.5V

Programming Current, I_set. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500µA

Programming Voltage, V_SET

Voltage from I_SETterminal to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V_CC–2V) to V_CC

Output Short–Circuit Duration (Note 1), t_s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Indefinite

Operating Temperature Range, T_A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° to +70°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Note 1. May be to GND or either Supply Voltage. Rating applies up to a case temperature of +125°C

or ambient temperature of +70°C and I_SET≤ 30µA.

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NTE888M 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
LM776CN	NSC	功能相似	MULTI-PURPOSE PROGRAMMABLE OPERATIONAL AMPLIFIER

与NTE888M相关器件

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NTE88MP	NTE	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 2-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
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