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NTE887M

更新时间： 2024-09-20 22:50:47

品牌	Logo	应用领域
NTE		运算放大器
页数	文件大小	规格书
3页	31K
描述
Integrated Circuit Low Power, JFET OP Amplifier

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NTE887M 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.39
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.01 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0004 µA
标称共模抑制比：	86 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电流 (IIO)：	0.005 µA	最大输入失调电压：	20000 µV
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	微功率：	YES
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	电源：	+-15 V
认证状态：	Not Qualified	最小摆率：	1.5 V/us
标称压摆率：	3.5 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	0.25 mA	供电电压上限：	18 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
标称均一增益带宽：	1000 kHz	最小电压增益：	3000
Base Number Matches：	1

NTE887M 数据手册

NTE887M

Integrated Circuit

Low Power, JFET OP Amplifier

Description:

The NTE887M is a JFET–input operational amplifier in an 8–Lead DIP type package designed as a

low–power version of the NTE857M amplifier. This device features high input impedance, wide band-

width, high slew rate, and low input offset and bias current.

Features:

D Very Low Power Consumption

D Typical Supply Current: 200µA

D Wide Common–Mode and Differential Voltage Ranges

D Low Input Bias and Offset Currents

D Common–Mode Input Voltage Range Includes V_CC+

D Output Short–Circuit Protection

D High Input Impedance: JFET–Input Stage

D Internal Frequency Compensation

D Latch–Up–Free Operation

D High Slew rate: 3.5V/µs Typ

Absolute Maximum Ratings: (T_A= 0° to +70°C unless otherwise specified)

Supply Voltage (Note 1), V_CC+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +18V

Supply Voltage (Note 1), V_CC– . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –18V

Differential Input Voltage (Note 2), V_ID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Input Voltage (Note 1, Note 3), V_I. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V

Duration of Output Short Circuit (Note 4), t_s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Unlimited

Continuous Total Dissipation, P_D

T_A≤ +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 680mW

Derate Above +65°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8mW/°C

T_A= +70°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 640mW

Operating Ambient Temperature Range, T_A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° to +70°C

Storage Temperature range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” (1.6mm) from case for 10sec), T_L. . . . . . . . . . . +260°C

Note 1. All voltage values, except differential voltages, are with respect to the midpoint between

V_CC+ and V_CC–.

Note 2. Differential voltages are at the non–inverting input pin with respect to the inverting input pin.

Note 3. The magnitude of the input voltage must never exceed the magnitude of the supply voltage

or 15V, whchever is less.

Note 4. The output may be shorted to GND or to either supply. Temperature and/or supply voltages

must be limited to ensure that the dissipation rating is not exceeded.

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