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NTE551

更新时间： 2024-10-02 20:43:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1500V V(RRM), Silicon,

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NTE551 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.12	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.5 V
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1500 V	最大反向恢复时间：	1 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	WIRE	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

NTE551 数据手册

NTE5511 thru NTE5513

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

5 Amp, TO66

Description:

The NTE5511 thru NTE5513 all−diffused, three junction, silicon controlled rectifiers (SCR’s) are in-

tended for use in power−control and power−switching applications. These devices are available in

a TO66 type package and have a blocking voltage capability of up to 600V and a forward current rating

of 5A (rms value) at a case temperature of +75°C.

Features:

D Designed Especially for High−Volume Systems

D Direct−Soldered Internal Construction Assures

Exceptional Resistance to Fatigue

D Readily Adaptable for PC Boards and Metal

D Symmetrical Gate−Cathode Construction Pro-

vides Uniform Current Density, Rapid Electrical

Conduction, and Efficient Heat Dissipation

D All−Welded Construction and Hermetic Sealing

D Low Leakage Currents, Forward and Reverse

D Low Forward Voltage Drop at High Current

Levels

Heat Sinks

D Low Switching Losses

D High di/dt and dv/dt Capabilities

D Shorted Emitter Gate−Cathode Construction

D Forward and Reverse Gate Dissipation Ratings

D All−Diffused Construction Assures Exceptional

Uniformity and Stability of Characteristics

D Low Thermal Resistance

Absolute Maximum Ratings: (For Operation with Sinusoidal AC Supply Voltage at a Frequency

between 50Hz and 400Hz, and with Resistive or Inductive Load)

Transient Peak Reverse Voltage (Non−Repetitive), V_RM(non−rep)

NTE5511 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330V

NTE5512 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 660V

NTE5513 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Peak Reverse Voltage (Repetitive), V_RM(rep)

NTE5511 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5512 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5513 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Peak Forward Blocking Voltage (Repetitive), V_FBOM(rep)

NTE5511 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5512 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5513 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Average DC Forward Current, I_F(av)

(T_C= +75°C mounted on heat sink, conduction angle or 180°) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2A

RMS Forward Current (T_C= +75°C mounted on heat sink), I_FRMS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Peak Surge Current (For one cycle of applied voltage), i_FM(surge). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A

Sub−Cycle Surge (Non−Repetitive, for a period of 1ms to 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A²sec

Rate of Change of Forward Current (Note 1), di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/μs

Gate Power (Peak, Forward, or Reverse, for 10μs duration, Note 2), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . 13W

Average Gate Power (Note 2), P_GAV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Case Temperature Range, T_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C

Note 1. V_FB= v_BOO(min value), I_GT= 200mA, 0.5μs rise time

Note 2. Any values of peak gate current or peak gate voltage to give the maximum gate power is

permissible.

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NTE551 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NRVB130T1G	ONSEMI	功能相似	Surface Mount Schottky Power Rectifier
DA228KT146	ROHM	功能相似	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon,
DAN217UT106	ROHM	功能相似	Switching Diode

与NTE551相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5511	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp
NTE5512	ETC	获取价格
NTE5513	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp
NTE5514	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5515	ETC	获取价格
NTE5516	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5517	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5518	ETC	获取价格
NTE5519	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE552	NTE	获取价格	Silicon Rectifier General Purpose, Fast Recovery

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